挑戰新極限!Samsung 下代 SSD 技術或突破 100 層!

近來 SSD 發展越來越快,除了速度不斷提升外,容量大小增長速度亦相當快速,近日 Samsung 發佈了最新四代 3D V-NAND 快閃技術,將在今年第四季度正式推出,密度比現在提升外,更重要的是可以達到 100 層以上堆疊效果。

high_res_3d_nand_die_w_m2_ssd-100644226-primary.idge



Samsung 的半導體部門社長表示,2013年全球第一家量產3D NAND,第一代可以堆疊24層,第二代增加到32層,目前市面最新的是第三代,最高為48層,剛發佈的第 4 代技術則可以推到 64 層,不過這並不算是極限,預計在不久的將來,Samsung 將會推出100層以上堆疊的1TB等級 SSD。

Samsung_850_EVO_SSD_with_3_bit_V_NAND_technology

早前 Samsung 利用第四代 3D V-NAND 快閃技術,可以堆疊到最多 64 層外,晶片的密度比現在提升了 30%, 2.5 寸硬碟中,最大容量可以達到驚人的32TB,是目前世界最高的單一容量大小。

3-bit-3D-V-NAND-Flash-Memory-2

限免已完結?不想錯過重大限免應用,可下載《限時情報王》 App 或以 Telegram 追蹤 NewMobilelife 頻道