最新3D SSD 產品推出!更快、省電、更高容量!

Samsung 850 EVO SSD with 3 bit V NAND technology

近來的智能手機至桌面電腦的處理器發展已到達較能過盛的地步,但限制著裝置使用體驗的,就是儲存硬碟,因此新興的 SSD 因為存取速度快而成為賣點,而現在就有最新的Samsung SSD 產品使用最新的3D V-NAND 快閃儲存晶片。

像上一代一樣,Mac Mini 的部件是打開底蓋取出。

Samsung 早在去年年中就已經完成3D V-NAND 快閃儲存晶片的開發工作,直到今年 2 月份才隨最新的旗艦級消費級SSD  850 Pro 系列一同亮相,而現在 Samsung 推出的 850 EVO SSD 系列,將會是第二代使用3D V-NAND 快閃儲存晶片。

Samsung 850 EVO SSD with 3 bit V NAND technology

新一代 3D V-NAND 技術打破了傳統 NAND 架構的密度限制,使用垂直單元結構, 32 層垂直設計,可以讓同一顆晶片內加入更多單元,提高容量和性能,性能提高 20% 以上,耗電量減少 40%,全新的 850 EVO SSD 系列將會加入全新的控制晶片,保證讀寫穩定性。

Samsung 850 EVO 規格:
• 容量: 120 GB, 250 GB, 250 GB, 1 TB
• 讀取速度: up to 540 MB/s
• 寫入速度: up to 520 MB/s
• 隨機讀寫: up to 90K IOPS (1 TB model)

加入本站 WhatsApp 頻道最新限免情報立即知。

全新本站官方《限時情報王》 iOS 版 登場。限免已完結?不想錯過重大限免應用,可到本站追蹤 Telegram 頻道FacebookIG