Intel 和 Micron 今日聯同公佈了名為 3D Xpoint 的新技術，完全改變了儲存晶片的架構。整個技術以垂直導體連結 1280 億個高密度規格記憶體儲存單元，並堆疊出來的交叉式陣列結構，聲稱速度會比現有 NAND Flash 晶片快上 1000 倍，耐用程度增加了 1000 倍，而且因為以堆疊式設計之下，密度可以高出傳統記憶體 10 倍以上，因儲存晶片（或硬碟）導致的延誤才大大減少。以這個技術，初期每個晶粒容量可達 128Gb(16GB)。而且可以透過選擇器改變壓壓進行存取動作，在減少電晶體需求下降低成本。
Intel 的新聞稿指利用這個儲存晶片技術的產品會很快量產，但是，對市場來說仍然新穎，性價比仍然遠遠未能追上 NAND Flash 般，因此要普及仍然要一般長時間，但這個技術可以首先導入大型企業之中，然後在改良技術之下逐漸普及，包括引用到蘋果的 iPhone 之中。
