用二奈米製程對決 Samsung 自信五年超越台積電

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Samsung 近期極力發展半導體製造技術,但時至今日,在先進製程上仍難與台灣積體電路製造抗衡。話雖如此,Samsung 執行長慶桂顯喊話,宣稱將可無視目前落後的製造技術,在 5 年內超越台積電,成為領先全球的半導體製造公司,而其中的關鍵就在於 2 奈米製程。

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韓國經濟日報援引慶桂顯昨日於韓國科學技術院 KAIST 的演講,說明雖然 Samsung 現在的半導體製造技術仍落後於台積電 1 至 2 年的時間,但若台積電加入 2 奈米製程的技術競賽,Samsung 反倒能後來居上。

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Samsung 執行長慶桂顯於 KAIST 演講 / 圖片來源:韓國經濟日報

這是因為不同於台積電採用的鰭式場效電晶體 FinFET 架構 ,Samsung 目前已為 3 奈米製程導入了閘極全環電晶體 GAAFET 架構。而在 2 奈米製程上,有報導指出台積電也計畫採用 GAAFET,換言之,Samsung 已比台積電更早將 GAA 技術實用化。

GAAFET
閘極全環 GAA

然而這是否代表 Samsung 能夠在 2 奈米製程拿下市場仍有待觀察,因為目前 Samsung 以 GAAFET 製造的 3 奈米晶片良率不佳,再者,雙方預計大量生產 2 奈米晶片的時間點皆落在 2025 年,Samsung 即便更早將 GAAFET 投入生產,能否克服技術障礙卻不得而知。

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