Samsung 發佈第 2 代 10nm LPDDR4X DRAM 未來手機會更省電

繼極度堅固的 OLED 「不碎螢幕」之後,Samsung 也發表了可能影響未來 iPhone 效能的元件:第 2 代 10nm LPDDR4X DRAM(動態隨機存取記憶體,下同)。

Samsung 宣佈即將開始 16Gb LPDDR4X 流動 DRAM 模組的量產工作,這模組以第 2 代 10nm 製程技術製作,可封裝成四通道 8GB(4x16Gb)LPDDR4X DRAM 晶片,利用四通道封裝令傳輸速度提升至 34.1 GBps,厚度比上一代減少 20%。Samsung 第 2 代 10nm LPDDR4X DRAM 在同一 4266Mbps 資料傳輸率之下,耗電量比上一代減少 10 個百份比。



Samsung 記憶體銷售和市場部高級副總裁 Sewon Chun 指,第 2 代 10nm 等級流動 DRAM 可以提升在 2019 年推出的下一代旗艦手機效能,Samsung 會繼續提升 DRAM 產品線,在高效能、高容量、低耗用三方面均達到極高水平,迎合市場需要。除了 8GB 之外,Samsung 未來會推出 4GB 和 6GB 第 2 代 10nm LPDDR4X 的記憶體晶片。

iPhone 7 的 DRAM 模組是由 Samsung 代工並封裝到 A10 Fusion 處理器之中,但 iPhone X 的 DRAM 模組是由 SK Hynix 代工並封裝到 A11 Bionic 處理器之中,未知 Samsung 的新 DRAM 是否能夠以「節能」作賣點,打動蘋果回心轉意了。

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