早前有外國網站做了一個測試，利用 32GB 的 iPhone 7 Plus 在 NAND 快閃儲存晶片的讀寫速度，遠遠慢過 128GB 的版本。事件令不少人懷疑，用 32GB 的 iPhone 7 是否會慢過 128GB 的 iPhone 7？其實，事件不是大家想像中那麼簡單。
會出現這個結果，這不是因為 32GB 版 iPhone 的問題，而是 NAND 晶片本身的讀寫方式導致。先說一下 iPhone 7 有關 NAND 晶片技術上的資料。iPhone 7 的 NAND 晶片是由兩家供應商東芝和 SK Hynix 提供的，兩者屬 15nm 製程，但那次的測試並沒有提到使用的晶片類型，如果兩家供應商之間的 NAND 儲存晶片不同，相信新聞就會變成「Apple A9 晶片門」的翻版。
而且，不同容量版本的 NAND 晶片使用技術也有不同，256GB 版本 iPhone 7 使用的晶片是東芝的 48 層 3D BiC NAND 快閃儲存晶片，但 128GB 和 32GB 只是使用 TLC NAND 快閃儲存晶片，在晶片技術上 3D NAND 是相對於傳統的 2D NAND 技術，以堆疊的形式擴展快閃儲存晶的容量和儲存模組的密度，最終提升讀寫速度。不過，今次測試的是 128GB 和 32GB 的型號也是使用 TLC NAND 快閃儲存晶片，並沒有 3D/2D NAND 的晶片技術差異。為何還有差別那麼大的結果？
答案也許要在晶片身上找到，是 NAND 快閃儲存晶片的讀寫方式導致。由於 SSD 的讀寫模式是將數據分散到多個快閃存晶片內的儲存區塊，讀取的時候就像 BT 一樣，讀取的儲存區塊越多，讀寫速度越快。這情況就像在電腦的 SSD 硬碟一樣，同一個品牌型號的 SSD 硬碟之中，256GB 內置的儲存晶片數量，會比 128GB 為多。你也許會透過一些跑分，發現 256GB 的容量的讀寫速度會快於 128GB。同樣道理，iPhone 的 NAND 快閃儲存晶片也會有大量儲存的區塊，在 128GB 的容量下，讀寫檔案的時候會有多個容量的區塊一起讀寫，效率就會更快了。
