早前本站報導過，SanDisk 及 Toshiba 將會推出全新的 SSD 3D 48 層技術，而現在 Toshiba 就再推出新產品，就是利用TSV硅穿孔技術，開發出全球第一個16 Die 3D NAND Flash 晶片，讓容量輕鬆達到 512GB。
利用TSV硅穿孔技術，全球第一個16 Die 3D NAND Flash 晶片，代表一顆 Flash 晶片的容量可以達到256×16÷8＝512GB，只需要 4 顆晶片，就可以組成2TB SSD了，TSV立體晶片使用Toggle DDR界面，I/O讀寫速度，可以超過1Gbps，電壓也十分低，僅1.8V，耗電量減少 50%。
全新技術，除了可以有更大容量的 SSD 產品推出外，更有望可以為流動裝置加入更大容量版本。因為全新技術更快更節能，因此將會是未來發展的新方向。不過目前相未透露何時能夠出貨。
