Bilibili 頻道 HOMOLAB 對 1TB 版本的 iPhone 18 Pro Max 進行實測儲存基準測試，結果顯示在持續重載、且儲存空間接近填滿的情況下，其快閃記憶體寫入速度會大幅下降，甚至比多款入門 microSD 卡更慢。
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QLC 與 TLC 儲存差異
現時大部分手機採用 TLC（triple-level cell）快閃記憶體，每個記憶體單元儲存 3 bit 資料；在 3D NAND 引入後，TLC 在速度、容量與耐久度之間取得良好平衡。1TB 的 iPhone 18 Pro Max 則改用 QLC（quad-level cell）儲存，每個單元塞入 4 bit 資料，可在同一塊晶片上換取更大容量，但每個單元需分辨更多狀態，通常令 QLC 比 TLC 更慢且耐久度較低。
HOMOLAB 以 512GB、採用 TLC 的 iPhone 18 Pro 直接對比，加權 4K 讀取測試中兩者接近：QLC 版本得 46,045，TLC 版本得 51,282。在混合讀寫工作負載下差距擴大，低佇列深度時 TLC 型號領先約 38%（11,285 對 8,168），在更重載、要求更高的情況下差距收窄至約 12%（35,992 對 32,219）。
三層緩衝與寫入速度變化
與多數現代手機一樣，iPhone 18 Pro Max 使用一小塊快速 SLC（single-level cell）緩存吸收突發數據，在緩存仍有空間時速度可超過 3,000 MB/s。緩存耗盡後，手機會回落至一層模擬 TLC 行為的次級緩衝，速度仍比原生 QLC 快，平均 578 MB/s，但波動明顯。只有當次級緩衝同樣耗盡，手機才會直接寫入原生 QLC 儲存，HOMOLAB 測得持續寫入速度平均跌至 79.4 MB/s，最低更只有 25.6 MB/s，比不少入門 microSD 卡更差。
隨着儲存空間填滿，情況進一步惡化。當容量使用率達 60%，可用空間減少令快速緩存可用範圍縮小，SLC 緩存由空機時約 250GB 急跌至僅 58GB。模擬 TLC 的次級緩衝亦放慢，平均 396 MB/s，相較空機時的 578 MB/s明顯下降；原生 QLC 直寫階段平均進一步跌至 45 MB/s，最低只有 1.1 MB/s，遠遠落後其他旗艦手機同類高負載下使用的 TLC UFS 4.0 儲存。
售價與實際使用影響
在定價方面，1TB 版本的儲存加價幅度屬業內最高之一，但其使用的儲存類型通常被視為比低容量配置所用的儲存更次一等。
對於日常大部分操作，例如傳訊息、瀏覽網頁及隨手拍照，用戶未必會察覺差異，因為緩存足以應付典型突發寫入。但當涉及持續重載寫入，例如長時間錄製 4K 或 ProRes 影片、大量檔案傳輸或備份還原，問題便會真正浮現，而這些正是購買大容量版本的用戶最可能遇到的使用場景。
