據《The Information》引述兩名知情人士報道，上海一家國有企業已開始量產浸沒式深紫外（DUV）光刻機，並計劃今年向中芯國際、華虹半導體及記憶體製造商長鑫存儲交付首批設備。該企業目標在 2026 年生產約 5 台，2027 年約 20 台；上述三家客戶均為美國一項法案擬禁止 ASML 對其銷售及維修的企業。
消息人士未有透露製造商名稱，但指出該企業整合了多家中國公司的 DUV 開發團隊，其中之一是國資初創公司上海御量升科技。中芯國際自 2025 年 9 月起已在測試御量升的浸沒式工具。新系統的大部分部件為國產，但部分關鍵零件仍來自日本，而國內供應商的延誤已拖累今年產量。
重點文章
美國禁令
美國眾議院第 8170 號決議將中芯國際、華虹、長鑫、華為及長江存儲列為法律上的受限制實體，其中三家正是國產光刻機的首批客戶。今年 4 月提出的 MATCH 法案已於 4 月 22 日在眾議院外交委員會審議，並有參議院對應法案。該法案的浸沒式 DUV 條款涵蓋維修與技術支援，而不僅是新出口，這將影響已在中國晶圓廠運行的設備。
ASML 財務總監 Roger Dassen 在 7 月財報電話會議上表示，預計 2026 年出貨約 130 台浸沒式系統，與 2025 年持平，並計劃在 2027 年將浸沒式產能提升 30%，同時正研究 2028 年再增加 30%。中國佔 ASML 今年淨銷售額約 20%，低於 2025 年的 33%，主要受主流邏輯需求帶動。浸沒式 DUV 單次曝光可製作 28 納米級特徵，透過多重圖案化可達 7 納米，但存在覆蓋誤差與良率成本。ASML 執行長 Christophe Fouquet 在同一個會議上表示，DRAM 光刻強度上升部分反映客戶正以更便宜的單次曝光 EUV 取代多重圖案化。
或較預期早出現？
AI Futures Project 在 6 月的獨立分析指出，中國國產浸沒式 DUV 要到 2030 年代中期才能達到商業規模，ASML 仍持有 98.7% 的浸沒式市場。新機器需要數月才能通過生產線認證，性能與品質仍落後 ASML 的工具。中國國產 EUV 計劃（去年 12 月《路透》報道已造出原型）仍距離量產多年。
