RAM 短缺預計持續至 2030 年 SK hynix 擬五年內倍增記憶晶圓產能

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SK hynix 集團董事長崔泰源於 6 月 2 日在台北國際電腦展向記者表示,公司計劃在五年內將其記憶晶圓產能倍增,並重申他對 AI 驅動的記憶體市場短缺將持續到 2030 年的預測。據《彭博》報導,崔泰源拒絕透露此次擴張的確切金額,但表示公司 2026 年的支出將遠超 2025 年的 30.2 兆韓元(約 200 億美元)。

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5 年後緩解需求

就其自身時間來考慮,此承諾對縮短短缺影響不大。崔泰源表示一座全新晶圓廠的前置時間超過五年,這使得新產能的產出將接近他預測的「短缺期尾聲」。這一新立場也與他三月份在 Nvidia GTC 大會上的言論顯著不同,當時他表示沒有計劃新建晶圓廠,且產能無法按需增加。

客戶急尋解決方案

崔泰源也指出,由於土地、設備和電力價格不斷變動,此次建設的成本難以確定,這或許是此公告未附帶具體金額的原因。由於公司現有產線已飽和,客戶已提出購買 SK hynix 的 EUV 掃描機並預先資助晶圓廠產線,因為可用產能已接近於零。崔泰源向記者表示:「直到 2030 年,仍存在一定程度的短缺。」

HBM 需求主導市場趨勢

最終,是 HBM 造成了晶圓供需之間的巨大差距。HBM 每位元消耗的晶圓遠多於標準 DRAM,並帶來業界最高的利潤,因此產能不斷向其傾斜。SK hynix 佔據約 57% 的 HBM 市場和 32% 的全球 DRAM 市場。Chey 表示,他希望公司能成為 Nvidia Vera Rubin 平台的主要 HBM 供應商,並正在台灣尋求與台積電以外的更多製造合作夥伴。儘管產能倍增,但未來五年的展望並未改變,在當前 AI 需求的狀況下,市場很可能在本十年剩餘時間內保持緊張。

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