繼極度堅固的 OLED 「不碎螢幕」之後，Samsung 也發表了可能影響未來 iPhone 效能的元件：第 2 代 10nm LPDDR4X DRAM（動態隨機存取記憶體，下同）。
Samsung 宣佈即將開始 16Gb LPDDR4X 流動 DRAM 模組的量產工作，這模組以第 2 代 10nm 製程技術製作，可封裝成四通道 8GB（4x16Gb）LPDDR4X DRAM 晶片，利用四通道封裝令傳輸速度提升至 34.1 GBps，厚度比上一代減少 20%。Samsung 第 2 代 10nm LPDDR4X DRAM 在同一 4266Mbps 資料傳輸率之下，耗電量比上一代減少 10 個百份比。
Samsung 記憶體銷售和市場部高級副總裁 Sewon Chun 指，第 2 代 10nm 等級流動 DRAM 可以提升在 2019 年推出的下一代旗艦手機效能，Samsung 會繼續提升 DRAM 產品線，在高效能、高容量、低耗用三方面均達到極高水平，迎合市場需要。除了 8GB 之外，Samsung 未來會推出 4GB 和 6GB 第 2 代 10nm LPDDR4X 的記憶體晶片。
iPhone 7 的 DRAM 模組是由 Samsung 代工並封裝到 A10 Fusion 處理器之中，但 iPhone X 的 DRAM 模組是由 SK Hynix 代工並封裝到 A11 Bionic 處理器之中，未知 Samsung 的新 DRAM 是否能夠以「節能」作賣點，打動蘋果回心轉意了。
