邁向物理極限!Samsung 宣佈發展超強 3 nm 製程!

處理器硬件發展,一直被人指出達到物理極限,納米製程已經開始邁向單位數值,而繼早前 Intel 因為技術問題,要推遲發展更細製程處理器時,Samsung 就發展最新的 3 nm 納米製程。



Samsung 在早前舉行的 SFF 2018 USA 大會上,宣佈將會同時發展 5 nm、4 nm、3 nm 納米製程,直接逼近物理極限。其中主要改變為下。

5nm:是基於 7 nm 的改進版,主要是設計更細小的處理器晶片,減少處理器佔用空間,並達到超低的耗電量。

4 nm:最後一次使用高度成熟的行業標準 FinFET 晶體技術,同時可以讓晶片變得更細小,效能提升,良品率更高的方案。

3 nm:使用全新的 Gate-All-Around 技術,重新設計晶管底層設計,可以克服目前的技術限制,及效能限制,效能得到大提升。

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