耗電降低 40%!10nm 製程 Snapdragon 835 正式發佈!

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今天著名處理器開發商 Qualcomm 宣佈,正式發佈最新一代的手機處理器 Snapdragon 835。用上了 Samsung 最新型的生產技術,最具革命性的 10nm FinFET 製程技術,與以往的 14nm 製程技術相比,不但可以令處理器的整體呎吋變得更細小之外,還有著更強大的效能以及更低的耗電量,同時亦支援最新發佈的快充技術 QC4.0。

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全新的 Qualcomm Snapdragon 835 處理器,與同時樣 Samsung 生產的現有 14nm Snapdragon 821 相比,Snapdragon 835 效能高出 27%,功耗上減少了最多 40%,同時加體積上亦減少了約 30%。預計使用 Snapdragon 835 的手機將會在 2017 上半年面世。用上 835 的手機可以減少因為處理器佔用的面積,讓手機可以變得更小,或是電池變得更大。同時 QC4.0 快充技術亦可為手機提升 20%充電速度,充電 5 分鐘可以帶來最多 5 小時的續航力,同時亦支援最新的 USB Power Delivery 標準,可以支援到 USB-C 充電互通性。

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