再超越頂點!Toshiba 計劃開發 64 層NAND Flash 快閃晶片!

早前 Samsung 推出的 SSD 產品中,使用了全新技術,可以將 SSD 晶片,以3D V-NAND立體堆疊起來,最高達 48 層,不過現在就有最新的消息,顯示 Toshiba 為了可以反擊 Samsung,正計劃使用多達64層的NAND Flash 快閃晶片。

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Toshiba 7月15日舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啓用儀式,表示將在此生產48層堆疊快閃晶片,計劃2016年財政年度內,可以開始量產,追上 Samsung 推出最新產品的同時,二廠可以加大產量。

SSD-1

而《日經亞洲評論》報道,Toshiba 為了可以反擊 Samsung,正計劃使用多達64層的NAND Flash 快閃晶片,不過成本和價格會比較高,但因為容量可以更大,對用戶來說,成價比會更高。

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