早前 Samsung 推出的 SSD 產品中，使用了全新技術，可以將 SSD 晶片，以3D V-NAND立體堆疊起來，最高達 48 層，不過現在就有最新的消息，顯示 Toshiba 為了可以反擊 Samsung，正計劃使用多達64層的NAND Flash 快閃晶片。
Toshiba 7月15日舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啓用儀式，表示將在此生產48層堆疊快閃晶片，計劃2016年財政年度內，可以開始量產，追上 Samsung 推出最新產品的同時，二廠可以加大產量。
而《日經亞洲評論》報道，Toshiba 為了可以反擊 Samsung，正計劃使用多達64層的NAND Flash 快閃晶片，不過成本和價格會比較高，但因為容量可以更大，對用戶來說，成價比會更高。
