耗電量大減 50%!全新 FD-SOI 技術投產!

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近來 Samsung 為蘋果生產的 A9 處理器中,使用了最新的 14nm 納米製程,聲稱可以讓處理器的能源效益更高,不過就出現了比 16nm 更耗電的問題,而現在看來 Samsung 正全力解決這個問題,消息顯示將會推出全新的FD-SOI技術,讓耗電量減少 50%。

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三星LSI業務總監Kelvin Low表示,他們和半導體公司合力開發的28nm FD-SOI納米製程技術已經開始投產,最大的亮點在於超低耗電量,對比HKMG,FD-SOI可以大大減少耗電量 50 %。

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從技術上,簡單區分FinFET和FD-SOI的方法,就是FinFET是立體型晶體管,而FD-SOI是平面設計,相信將會在技術成熟後,使用在1Xnm產品上。

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