突破 Samsung 最新技術!全新 3D 快閃晶片多達 48 層!

目前智能手機越來越細小,為了可以在更細小的空間下有更強效能或更大容量,每一個硬件必需要進一步縮小,而現在就有最新的消息顯示,東芝成功開發出全新的 3D NAND 快閃晶片,比 Samsung 的 32 層 SSD 更強大。

目前 Samsung 最高的 3D 快閃晶片,最高只有32層,但東芝成功開發出全新的 3D NAND 快閃晶片,最高多達 48 層,比 Samsung 的 32 層多出 50%,使用的更是各位最愛的2-bit MLC,單顆容量128Gb(16GB)。

東芝表示將會在今年下半年投入量產,相信會在2016年大規模推出,產品包括流動產品、桌面消費級產品及企業級產品。



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