三星在存儲技術領先業界，即使蘋果的MacBook Pro 產品中使用的RAM及SSD 都是採用三星，在發展晶片製作方面是世界最頂尖的公司之一。近日三星宣布，將會正式製作全球第一款3D V-NAND 快閃儲存晶片，相信可以在不久後，應用到電腦及智能電話上使用。
根據消息透露，三星的3D V-NAND快閃儲存，以3D晶片，最多可以有24 層，通過Charge Trap Flash 技術，垂直連接各層，讓同大小的平面可以有更多儲存空間，寫入速度提升2 倍，可以解決快閃儲存容量的物理極限，同時晶片體積亦可以縮減，三星表示3D V-NAND晶片最快於年底應用在SSD 上，首款量產型號容量為16GB，相信容量會逐漸提升。
