三星新3D晶片技術!讓快閃儲存晶片容量突破物理極限!

三星在存儲技術領先業界,即使蘋果的MacBook Pro 產品中使用的RAM及SSD 都是採用三星,在發展晶片製作方面是世界最頂尖的公司之一。近日三星宣布,將會正式製作全球第一款3D V-NAND 快閃儲存晶片,相信可以在不久後,應用到電腦及智能電話上使用。



根據消息透露,三星的3D V-NAND快閃儲存,以3D晶片,最多可以有24 層,通過Charge Trap Flash 技術,垂直連接各層,讓同大小的平面可以有更多儲存空間,寫入速度提升2 倍,可以解決快閃儲存容量的物理極限,同時晶片體積亦可以縮減,三星表示3D V-NAND晶片最快於年底應用在SSD 上,首款量產型號容量為16GB,相信容量會逐漸提升。

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